Portada

BADANIE OPTYMALNEJ KONSTRUKCJI URZ?DZE? REKONFIGUROWALNYCH W IBD

WYDAWNICTWO NASZA WIEDZA
06 / 2025
9786202473163
Polaco

Sinopsis

Celem projektowania SiNWFET z wykorzystaniem podwójnego spaceru k jest zmniejszenie SCE i zwi?kszenie stosunku pr?du w??czenia do pr?du wy??czenia. Proponowane urz?dzenie skutecznie ??czy ró?ne mechanizmy obni?ania subthreshold swing (SS). Dzi?ki zastosowaniu spacerów i z??cza Schottky?ego uzyskujemy bardziej wydajny system, który poprawia parametry konstrukcyjne urz?dzenia, takie jak g?sto?? elektryczna, potencja? i rezystancja. Wyniki naszych symulacji pokazuj?, ?e chocia? przek?adka o wysokim wspó?czynniku ? poprawia wydajno?? urz?dzenia, tak? jak ION, S/S, to wydajno?? urz?dzenia uleg?a poprawie i zmniejszy?y si? straty. W istniej?cym SiNWFET zmniejszenie grubo?ci tlenku bramki nie jest dobrym pomys?em, poniewa? powoduje to zmniejszenie stosunku pr?du w??czenia do pr?du wy??czenia, chocia? S/S pozostaje w wi?kszo?ci niezmienione. W normalnym FET bez przek?adki ma on wysoki pr?d wy??czenia i zwi?kszony efekt krótkiego kana?u. W istniej?cym urz?dzeniu pr?d wy??czenia jest wi?kszy, a wydajno?? równie? zmniejszona. Przegl?d, synteza i przeprowadzenie analizy literatury s? rzeczywistymi miernikami standardowej lub podyplomowej próby przegl?du literatury. Dobrze zorganizowany i sformu?owany przegl?d najlepiej poka?e wk?ad i ramy dobrej metodologii.

PVP
53,73