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INVESTIGAÇAO DO DESIGN IDEAL EM DISPOSITIVOS RECONFIGURáVEIS IBD

EDIÇOES NOSSO CONHECIMENTO
06 / 2025
9786202473248
Portugués

Sinopsis

O objetivo do design do SiNWFET utilizando espaçador duplo k é reduzir o SCE e aumentar a relaçao corrente ligada/desligada. O dispositivo proposto combina eficazmente diferentes mecanismos de reduçao do sub threshold swing (SS). Ao utilizar espaçadores e junçao schottky, obtemos um sistema mais eficiente para melhorar as métricas de design, como densidade elétrica, potencial e resistência do dispositivo. Os resultados da nossa simulaçao mostram que, embora o espaçador high-? melhore o desempenho do dispositivo, como ION, S/S, o desempenho do dispositivo melhorou e reduziu as perdas. No SiNWFET existente, reduzir a espessura do óxido de porta nao é uma boa ideia, pois causa uma reduçao na relaçao de corrente ON-OFF, embora o S/S permaneça praticamente inalterado. Em um FET normal sem espaçador, há alta corrente off e aumento do efeito de canal curto. No existente, a corrente off é maior e o desempenho também é reduzido. A revisao, síntese e conduçao da literatura sao métricas reais de uma tentativa padrao ou de pós-graduaçao de revisao da literatura. Uma revisao bem organizada e formulada dará a melhor luz sobre a contribuiçao e a estruturaçao da boa metodologia.

PVP
53,73